目前从事先进制程的晶圆厂商并不多了，基本上就是台积电、三星以及英特尔，而英特尔显然还没有参与到晶圆代工行列中来，大家平常看到最多的便是三星和台积电，目前这两家公司都已经完成了5nm制程的大规模量产，下一步就是4nm乃至3nm制造工艺，而如今三星已经表示成功流片基于3nm制程工艺的芯片，将会在明年或者后年正式量产。
三星今天表示经过验证和改良，基于3nm制程工艺的芯片已经在近期成功流片，接下来就是为3nm晶圆的量产做准备了，而与老对手台积电相比，三星的3nm制程似乎晚了一点，不过两者的工艺有所不同，台积电采用的是成熟的FinFET工艺，而三星则是采用下一代的GAA工艺，三星也表示与台积电的3nm制程相比，三星的GAA工艺能够取得更加出色的电气性能，从而让芯片性能更加出众。
三星表示基于GAA工艺的3nm制程相比较目前的5nm工艺，晶圆的面积效率提升了35%，性能也提升了30%，而功耗则降低了50%，考虑到高性能计算的需求，预计仍然是移动芯片将会采用全新的3nm制程工艺。不过从三星近几次的成品来看，尽管三星制程工艺的纸面性能相当不错，但是芯片的体验却不尽如人意，比如说高通骁龙888处理器以及英伟达的GPU，都遇到了发烧以及功耗暴增的问题，距离3nm制程正式量产还有很长的距离，不知道三星能否对3nm制程进行充分的优化。
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