三星将复活Z-NAND闪存 采用SLC技术性能远超普通SSD

三星Z-NAND闪存技术强势回归，或将重新定义AI时代存储标准。在存储技术发展历程中，三星曾为对抗英特尔傲腾内存推出革命性的Z-NAND闪存，这项技术凭借卓越性能表现成为传统NAND闪存与DRAM内存之间的完美桥梁。最新消息显示，三星正计划重启这一尖端技术研发，业界普遍猜测这与当前AI算力爆发式增长存在密切关联。

追溯技术发展史，三星早在2010年就前瞻性地提出Z-NAND闪存概念。作为专为高性能场景设计的存储解决方案，其性能指标远超同期SSD产品。据三星官方透露，新一代Z-NAND闪存将实现惊人突破——速度较传统NAND闪存提升高达15倍，同时能耗降低80%。这意味着实际传输速率有望突破百GB/s大关，为AI训练、高性能计算等场景带来革命性变革。

技术分析表明，三星Z-NAND闪存可能采用SLC架构设计，这种单层存储单元技术相比主流TLC闪存具有显著速度优势。通过创新的直连架构，处理器可直接访问闪存数据，大幅提升带宽利用率。虽然该技术曾因成本过高和市场接受度问题暂时搁置，但在当前AI算力需求爆炸式增长的背景下，其技术价值正被重新评估。

AI技术革命正在重塑存储市场需求格局。大模型训练、实时推理等应用对存储子系统提出了前所未有的性能要求，这正是Z-NAND闪存技术重获生机的关键动因。面对愿意为性能买单的AI企业客户群，三星此次技术复兴战略或将开启存储技术发展的新纪元，为下一代计算架构奠定坚实基础。